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Chips para memórias HBM3E, DDR5 e V-NAND começam a ser fabricados em breve pela Samsung para distribuição em massa
A Samsung detalhou seus planos para produção em massa de novas gerações de seus semicondutores no segundo trimestre de 2024. A empresa falou do assunto durante uma conferência recente com seus investidores, onde se gabou de um crescimento “recorde” de seus produtos no segmento IA.
Os primeiros novos chips da fabricante sul-coreana a aparecerem no mercado serão as memórias do tipo HBM3E. Ainda neste mês de maio devemos ter componentes com stacks de 8-Hi, enquanto no segundo trimestre os stacks vão chegar a 12-Hi. Isso significa capacidades de até 36 GB nos módulos para GPUs de computação de alto nível.
Famosamente, a AMD é uma das fabricantes que mais usa HBM em suas placas de vídeo voltadas para HPC (high-performance computing).

Indo para DDR5, a Samsung prepara módulos para produção em massa no processo de 1nm que podem alcançar até 128GB de capacidade. Essa é a capacidade máxima por “pente” de memória da próxima geração, e a marca já está enviando amostras para seus clientes.
Por fim, as memórias V-NAND são usadas principalmente na produção de SSDs, e a Samsung pretende entregar drives de até 64TB para data centers – baseados no padrão PCIe Gen5. A nona geração de V-NAND será baseada em QLC e começa sua produção também no Q2 de 2024.
A tradicional empresa da Coreia do Sul fabrica semicondutores não apenas em sua terra natal, mas em diversas regiões do mundo, inclusive nos Estados Unidos. Na terra do Tio Sam, inclusive, a Samsung está expandindo suas operações, graças a uma iniciativa do governo norte-americano para incentivar o aumento da produção de chips no território.
A fabricante recebeu mais de US$ 6 bilhões em subsídios para turbinar sua fabricação de semicondutores no Texas, onde estão suas principais operações no país. Você pode ler mais a respeito clicando aqui.
Fonte: WCCFTech
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